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碳化硅冶炼炉自动控制系统的研制与应用 |
| 以CH_3OCH_2CH_2OCH_3为碳基础，SiCl_4为硅基础，金属镁为还原剂成功地制备出了波浪形的碳纳米管包裹的碳化硅纳米颗粒复合纳米材料。根据X射线衍射表征，产品含有碳和碳化硅。TEM和HRTEM照片显示这种复合材料是由两部份构成的：外层是分叉的波浪形的碳纳米管，内部是碳化硅颗粒。这些碳化硅颗粒直径一般有20-40nm，碳纳米管的壁厚大约3-5nm。Raman光谱显示，碳化硅纳米颗粒的TO和LO峰位和其宏观材料相比均红移了约6cm~(-1)。室温PL谱显示该复合材料有两个发射峰：431nm处的蓝色光和414nm处的紫色光。一种连续的沉积生长机制被提出去解释这种复合纳米材料的形成过程。研究结果发表在J．Phys．Chem．B 2005，109，13200上，审稿人认为这是一种非常有趣的复合纳米结构，作者详尽的表征了这种材料的结构和光学性质，这种材料可能具有广泛的应用前景。 发展了一种低温的Mg协助的共还原路线用来大量合成阵列的SiC一维纳米材料。通过仔细调节反应的条件，阵列的SiC纳米线、纳米针、纳米带可以被控制地合成出来。仔细地研究了这些阵列的一维纳米结构可能的生长机制。X—射线衍射，傅立叶红外吸收，扫描和透射电子显微镜被用来去调查这些阵列的一维纳米结构。场电子发射测量显示这些阵列的一维SiC纳米线、纳米针、纳米带具有较好的场电子发射性质。审稿人认为这足一种新的阵列的碳化硅一维纳米结构的合成方法，简单，温度低，是一项很有意义的工作。
通过CH_3CH_2OH，SiCl_4和金属Li在高压釜中600℃反应，成功地制备出了结晶的SiC纳米带。X—射线衍射显示产品是立方相SiC。电子显微镜表征显示纳米带的宽度大约为50-200nm范围，厚度大约有20-60nm，长度有几十微米。这些结晶的SiC纳米带具有其特有的光致发光和Raman光谱。一种可能的Li协助的生长机制被提出去解释这些纳米带的形成。研究结果发表在J．Phys．Chem．B 2004，108，20102上审稿人认为这是首次合成碳化硅单晶纳米带，是一项非常有趣且有意义的工作。
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